Special Theory Special Theory

Q TSMC N3E와 삼성파운드리 3GAE의 비교해줘 A (N3E에 대한 자료가 부족함) 1) TSMC의 N3E는 N3(3nm급) 공정의 개선 버전으로, 10~15% 향상된 성능, 25~30% 전력 절감, 최대 1.7배 향상된 트랜지스터 밀도[1] 등 N5에 비해 노드가 완전히 개선될 것으로 예상됩니다. TSMC는 삼성 파운드리가 3GAE(3나노급, 게이트 일체형 공정)[2]를 사용하여 대량 생산을 시작한 지 몇 달 후에 N3 공정에 기반한 칩을 양산하기 시작했습니다. TSMC가 공개한 N3의 공정 특성은 삼성이 공개한 3GAE의 특성과 비슷할 것으로 예상되며, TSMC는 트랜지스터 밀도는 높지만 성능과 전력 효율은 낮습니다[3]. 따라서 현재로서는 TSMC N3E와 삼성 3GAE의 비교가 명확하지 않습..